存储器芯片在电子系统中负责数据存储，是半导体存储产品的核心，其存储量与读取速度直接影响电子设备性能。存储器按照掉电后是否保存数据，可以分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储主要以随机存取器 RAM 为主，使用量最大的为动态随机存储 DRAM，例如广泛存在于电子产品中的内存条。非易失性存储中最常见的有 NOR Flash 与 NAND Flash。存储芯片在出厂时需要很多测试，芯片在快速变温过程中的稳定性尤为重要, 中冷高低温热流仪具有更广泛的温度范围-70℃到+225℃，提供了很强的温度转换测试能力。温度转换从-55℃到+125℃之间转换约10秒 , 满足 Flash 及 DRAM 存储器的研发设计需求, 为存储芯片提供快速可靠的测试环境.

     某知名存储芯片设计公司, 主要产品Flash及DRAM存储器，为了测试研发中存储芯片的运作特性, 同时用于失效芯片在不同温度下的快速故障诊断，推荐使用ThermoTST TS-560 搭配爱德万 Advantest 内存 IC 测试系统。

      存储器芯片高低温测试方法: 高低温热流仪温度区间设置为 -55℃ 至 +125℃, 快速实现极端温度下闪存的运作特性, 如电压, 电流等. 闪存多采用DUT 模式来进行高低温循环测式, 将闪存与T型热电偶相互连接, 即可精确掌控受测物达到机台所设定之温度. 闪存高低温测试方法同样适合内嵌式记忆体 eMMC 温度测试.

ThermoTST TS560 技术参数