功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的热阻，这些热阻是串联的，总热阻等于各热阻之和，这是因为热量在传递过程中，需要依次克服每一个热阻，所以总热阻就是各热阻的累积。

       各芯片在导热通路上有多个导热层，在损耗和热仿真时，基本的仿真总是针对单个IGBT或单个二极管，所以需要知道的壳温是指芯片正下方的温度，散热器温度也是指芯片正下方的温度。

       具体测试方法为：

T_c：壳温是通过功率开关（芯片）下面穿透散热器以及热界面材料的小孔测量到的管壳温度T_c。

T_s（T_h）：散热器温度是通过止于散热器表面下方2mm±1mm（型式试验特征，应予规定）的规定的盲孔测量。

T_sx：散热器温度也可以取自距功率开关（芯片）最近的最热可触及点。

       为了测量T_c打了穿透散热器以及热界面材料的小孔，插入传感器会影响模块壳到散热器的热传递，好在有基板的模块，热会在基板上横向传导扩散，孔和探头对测量误差可以控制在5%水平。

       对于没有基板的模块，热的横向传导非常有限，热传递的有效面积与芯片尺寸相当，打孔测壳温对模块散热影响就比较大，测量改变了工况，这样的测量不宜提倡。热阻抗的参考温度为T_s（T_h）而不再用T_C，就是说直接定义R_thJH。

模块壳温的工程测量方法：

       在芯片底部测壳温是型式试验方法，用于功率平台开发，而实际应用中，功率模块会自带NTC，负温度系数热敏电阻作为测温元件。

       NTC安装在硅芯片的附近，以得到一个比较紧密的热耦合。根据模块的不同，NTC或者与硅芯片安装在同一块DCB上，或者安装在单独的基片上。NTC测量值需要按照经验进行修正，或进行散热定标。

经验法：

       NTC可用于稳态过热保护，其时间常数大约是2秒。瞬态热阻曲线上可以读到芯片的热时间常数，0.2秒左右，但是整个散热系统的时间常数却非常大，譬如在20秒左右，因此NTC可以检测较缓慢温度变化和缓慢过载情况，对短时结温过热保护是无能为力的，更不能用于短路保护。

       由经验可知，对于电力电子设备，散热器的温度和NTC的温度的差值约等于10K的温度左右。这方法仅用于估算，建议用下面的定标法和热仿真得到更精确的数值。

定标法：

       对于结构设计完成的功率系统，我们可以测得芯片表面温度和在特定的散热条件下的Tvj~TNTC曲线，这曲线可以很好帮助你利用NTC在稳态条件下来监测芯片温度。

       芯片的温度用红外热成像仪测量，壳温用热电偶在芯片下方测量。NTC电阻值通过数据采集器记录，并且根据IGBT模块的NTC阻值-温度曲线将电阻值转换成对应的温度值。

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