一、碳化硅SIC MOSFET特性

          Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。

         IGBT通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。

         SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。

         随着SiC MOSFET制备技术的改进和驱动问题的解决，其将在电力电子的高频开关领域得到广泛地应用。

二、碳化硅SIC MOSFET替代传统MOSFET及IGBT的优点

         碳化硅MOS优点：高频高效，高耐压，高可靠性。 可以实现节能降耗，小体积，低重量，高功率密度。相对应于传统MOSFET以及IGBT有以下优点：

1、高工作频率：传统MOSFET工作频率在60KHZ左右，而碳化硅MOSFET在1MHZ。

用途：高频工作，可以减小电源系统中电容以及电感或变压器的体积，降低电源成本，让电源实现小型化，美观化。从而实现电源的升级换代。

2、低导通阻抗，碳化硅MOSFET单管内阻可以达到15毫欧，这对于传统的MOSFET看来是不可想象的。

用途：轻松达到能效要求，减少散热片使用，降低电源体积和重量，电源温度更低，可靠性更高。

3、耐压高，碳化硅MOSFET目前量产的耐压可达3300V，一般MOSFET耐压900V,IGBT常见耐压1200V。

4、耐高温，碳化硅MOSFET芯片结温可达300度，可靠性，稳定性大大高于传统MOSFET。

所以使用碳化硅MOSFET可以让电源实现高效率，小体积，在一些高温，高压环境，必用不可。